Silicon)
복합결정화
→ 레이저와 열결정화의 복합에 의한 결정화
- CGS(Continuous Grain Silicon)
<저온 다결정 Si 형성방법>
● 레이저에 의한 저온다결정 Si 형성 기술
○ 펄스레이저 혹은 연속레이저 의해 비정질 혹은 다결정 Si을 녹인 후 재결정화 시키는 방법으로 일반적으로 ELA가 응용되
1. STI공정
Trench는 0.25㎛ 이후의 반도체 공정에서 Isolation 목적으로 만들어진 공정이다.
Design Rule마다 조금의 차이는 있지만 4000Å정도의 깊이로 Silicon Wafer를 Etch해서
소자들끼리 격리시키는 것, 이 공정을 STI(Shallow Trench Isolation)이라고 한다.
CVD(화학증착)는 Pack cementation , Thermal CVD, 플라즈마 CVD로 크
광센서 - 광파장 영역의 광선을 검지하고 전기적인 신호로써 출력하는 전자 Device
광기전력 효과형
조사된 광에 의해 기전력이 발생하는 현상을 이용
카메라의 노출계
가로등의 자동
점멸 장치
- 가격이 저렴
- 응답속도가 느림
광도전 효과형
빛의 세기에 의해 전기 저항이 변화하는 현상
MOCVD : MOCVD 란 금속유기원료 (Metal Organic Source)를 이용하여 막을 형성시키는 방법으로 precursor의 분해온도가 낮다. MOCVD의 장점은 성막 속도가 빠르고, Step Coverage가 우수하며, 막 조성 및 성막 속도 제어가 가능하다. 또한 기판이나 결정표면의 손상이 없는 장점이 있다. 단점으로는 Source와 반응 가스들 중
공정이 되려면, 10 m/sec 정도의 매우 빠른속도로 주사해 주어야 하는 공정상의 어려운점이 있다. 펄스레이저의 경우 박막 가공에 유리한 흡수깊이(absorption depth)가 짧은 UV 파장의 엑시머레이저(Excimer laser)가 주로 사용된다. 이 경우 펄스 간 안정도(pulse- to-pulsestability)와 작은 레이저빔 면적, 그리고 빔의 p
1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으
1. 제조방법
1) Styrene과 Acrylonitrile의 Copolymerization
라디칼 중합에 의한 공중합 반응에 있어서, 생성되는 공중합체의 조성은 각 단량체의 조성은 각 단량체의 조성은 각 단량체의 상대적 반응성과 농도에 의해서 조절된다.
어떤 한 단계에서 생성된 공중합체 중의 단량체 M의 몰분율을 F₁그 단